【三星电子实现业界最小3D堆叠晶体管 栅极间距达42nm】 ⑴ 近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管方面取得...

【三星电子实现业界最小3D堆叠晶体管 栅极间距达42nm】 ⑴ 近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管方面取得的成果。 ⑵ 该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。