三星电子近日于美国加州圣克拉拉举办的未来存储与内存大会（FMS）上正式推出旗下V10 Bonding V-NAND，也就是BV-NAND原型产品。这款芯片搭载超过400层的堆叠结构，还采用了全新的晶圆键合架构，能够同时提...

三星电子近日于美国加州圣克拉拉举办的未来存储与内存大会（FMS）上正式推出旗下V10 Bonding V-NAND，也就是BV-NAND原型产品。这款芯片搭载超过400层的堆叠结构，还采用了全新的晶圆键合架构，能够同时提升存储密度与运行性能。 三星方面介绍，这次推出的BV-NAND技术相较上一代V9 NAND，存储密度提升了约58%，同时读取、写入以及输入/输出性能也都有明显升级，能够很好地匹配人工智能系统对更高容量、更高能效存储方案不断增长的需求。 除此之外，三星还带来了号称行业首款的zHBM和zNAND-O架构概念模型。这一技术通过垂直堆叠存储单元的设计，能在更小的空间内储存更多数据。和传统HBM与AI处理器并排封装的方案不同，三星的zHBM会把存储介质直接垂直堆叠在AI加速器的上方，大幅缩短数据传输的物理距离，既可以提升数据带宽，还能同步优化能源利用效率。 据三星披露，依托成熟的晶圆键合技术，该方案最终有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时能源效率提升3倍，热阻也能降低一半以上。