【三星发布下一代存储技术路线：zHBM性能达HBM5约8倍，V10 BV-NAND层数超400层】 (1) 在8月4日美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会上，三星首次展示面向AI基础设施的下一代存储技术路线，...

【三星发布下一代存储技术路线：zHBM性能达HBM5约8倍，V10 BV-NAND层数超400层】 (1) 在8月4日美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会上，三星首次展示面向AI基础设施的下一代存储技术路线，包括zHBM、zNAND-O概念产品，以及采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。 (2) zHBM通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，大幅缩短处理器与内存间的数据传输距离，预计性能可达HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效表现。 (3) V10 BV-NAND采用晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，较上一代V9产品内存密度提升约58%，同时改善了读写和输入输出性能，为AI基础设施提供了更高性能的存储解决方案。