【SK海力士加速HBM先进封装路线图：引入英特尔EMIB，目标迈向3D封装时代】 (1) SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥）在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代...

【SK海力士加速HBM先进封装路线图：引入英特尔EMIB，目标迈向3D封装时代】 (1) SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥）在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。 (2) 在2026年Hot Chips大会上，封装工程副总裁Jaesik Lee表示，公司正探索混合键合等方法，以突破16层堆叠的限制，进一步扩展HBM的容量与性能边界。 (3) 未来SK海力士还计划通过增加TSV（硅通孔）数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来应对功耗挑战，推动HBM产品持续升级。