【SK海力士美国首座工厂破土动工，计划2030年成为“美国HBM关键生产基地”】 (1) SK海力士在印第安纳州西拉斐特市举行美国首座工厂奠基仪式，CEO郭鲁正表示该工厂将在2030年前使该州成为“美国高带宽存储器（H...

【SK海力士美国首座工厂破土动工，计划2030年成为“美国HBM关键生产基地”】 (1) SK海力士在印第安纳州西拉斐特市举行美国首座工厂奠基仪式，CEO郭鲁正表示该工厂将在2030年前使该州成为“美国高带宽存储器（HBM）关键生产基地”。他强调全球正面临AI驱动的HBM严重短缺，新工厂将为美国本土提供全新HBM供应来源并强化半导体供应链。 (2) 印第安纳工厂耗资40亿美元，专注封装环节（而非前端制造），首个封装洁净室计划2028年10月投用。芯片将在韩国和中国制造，部分运往印第安纳进行堆叠和互联。郭鲁正表示，SK海力士正寻找在美国建设前端晶圆厂的合适机会，“对所有地点和国家均持开放态度”。 (3) 新工厂获得联邦《芯片法案》最高4.58亿美元拨款及印第安纳州7.12亿美元激励方案，为州史上第二大激励规模。项目将创造约1000个直接就业岗位及6000个相关岗位，长期计划由美国员工（包括普渡大学毕业生）填补。 (4) 州长称该项目为“印第安纳州历史上最大的开发项目”和“全美首创”。SK海力士预计到2030年在美总投资及资产将超过450亿美元，涵盖其新成立的100亿美元“AI公司”及子公司Solidigm。英伟达已承诺与其共同开发存储器，作为7月达成的5000亿美元合作的一部分。