【SK海力士1c DRAM产能快速扩张，预计明年Q1首超1b成为主流工艺】 (1) SK海力士正迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺（1c nm）的产能份额，该工艺将作为核心芯片堆叠HBM并应用于下一代高带宽内存，公...

【SK海力士1c DRAM产能快速扩张，预计明年Q1首超1b成为主流工艺】 (1) SK海力士正迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺（1c nm）的产能份额，该工艺将作为核心芯片堆叠HBM并应用于下一代高带宽内存，公司正加速推进工艺转型。 (2) 市场份额从今年第一季度的约10%增长至第二季度的约13%，预计第三季度将升至约24%，第四季度达到约34%。 (3) 明年第一季度，1c nm市场份额有望攀升至约35%，首次超过1b（约33%），成为SK海力士的主流DRAM工艺。